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      霍爾效應測試儀

      簡要描述:v系統功能:用于測量半導體材料的電阻率/電導率、流動性、散裝/片狀載體濃度、摻雜類型、霍爾系數、磁阻、垂直/水平阻力比的半導體高性能霍爾系統

      基礎信息

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      更新時間

      2024-10-22

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      詳細介紹

      v 系統功能:用于測量半導體材料的電阻率/電導率、流動性、散裝/片狀載體濃度、摻雜類型、霍爾系數、磁阻、垂直/水平阻力比的半導體高性能霍爾系統。模塊化設計理念,允許輕松升級,該系統適用于各種材料,包括硅和化合物半導體和金屬氧化物膜等

      v 該系統具有低電阻率和高電阻率測量功能,具有雙重溫度功能和一個可選的低溫恒溫器,可擴展該系統溫度范圍從90K500K

      v 方塊電阻量程:10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq

      v 載流子濃度量程:106 ~ 1021 cm-3

      v 載流子遷移率量程:1 ~ 107 cm

      v 四個微調探針座,探針直接形成ohm接觸,無需焊線或制作PCB

      v 樣品測量直徑:25mm


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